SI4831DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4831DY-T1-E3

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 5A, 10V
Базовый Part NumberSI4831
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияLITTLE FOOT®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)