SI4814BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4814BDY-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberSI4814
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияLITTLE FOOT®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A, 10.5A
Power - Max3.3W, 3.5W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)