SI4491EDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4491EDY-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 13A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4620 pF @ 15 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta), 6.9W (Tc)

Механические

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)