SI4462DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4462DY-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 1.5A, 10V
Базовый Part NumberSI4462
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.15A (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC