SI4421DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4421DY-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 10A 8SO

Снят с производства8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Базовый Part NumberSI4421
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125 nC @ 4.5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииLast Time Buy
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 850µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)