SI4403BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4403BDY-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Базовый Part NumberSI4403
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 350µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.35W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)