SI4190DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4190DY-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8mOhm @ 15A, 10V
Базовый Part NumberSI4190
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 50 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC