SI3879DV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3879DV-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480 pF @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияLITTLE FOOT®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta), 3.3W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)