SI3499DV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3499DV-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 7A, 4.5V
Базовый Part NumberSI3499
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 4.5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id750mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)