SI3475DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3475DV-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.61Ohm @ 900mA, 10V
Базовый Part NumberSI3475
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 50 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C950mA (Tc)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP