SI3457BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3457BDV-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs54mOhm @ 5A, 10V
Базовый Part NumberSI3457
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.14W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)