SI3430DV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP

В производствеSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 2.4A, 10V
Базовый Part NumberSI3430
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6 nC @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.14W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)