SI3424DV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3424DV-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6.7A, 10V
Базовый Part NumberSI3424
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP