SI2305DS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2305DS-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

УстаревшийTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Базовый Part NumberSI2305
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1245 pF @ 4 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток8 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3 (TO-236)