SI2302DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2302DDS-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Базовый Part NumberSI2302
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 4.5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Tj)
Макс. рассеиваемая мощность710mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3 (TO-236)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)