SI2301BDS-T1-E3

Name: SI2301BDS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Снят с производстваTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	375 pF @ 6 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	Last Time Buy
Серия	TrenchFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA

Напряжение сток-исток	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	700mW (Ta)

Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителя	SOT-23-3 (TO-236)

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)