Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 1A, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SI1965 |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 6V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |