SI1480DH-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI1480DH-T1-BE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70

В производстве6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 1.9A, 10V
Базовый Part NumberSI1480
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds130 pF @ 50 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta), 2.8W (Tc)

Механические

Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяSC-70-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)