SI1317DL-T1-BE3

Name: SI1317DL-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3

В производствеSC-70, SOT-323Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Базовый Part Number	SI1317
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	272 pF @ 10 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	TrenchFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA

Напряжение сток-исток	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.4A (Ta), 1.4A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	400mW (Ta), 500mW (Tc)

Рабочая температура	-50°C~150°C(TJ)