SI1302DL-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1302DL-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3

В производствеSC-70, SOT-323Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 600mA, 10V
Базовый Part NumberSI1302
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность280mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Корпус производителяSC-70-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)