SI1078X-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1078X-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs142mOhm @ 1A, 10V
Базовый Part NumberSI1078
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110 pF @ 15 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.02A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность240mW (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-563, SOT-666

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)