SI1062X-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1062X-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V SC89-3

В производствеSC-89, SOT-490Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43 pF @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C530mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность220mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-89, SOT-490
Корпус производителяSC-89-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)