SI1023X-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1023X-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89

УстаревшийSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Базовый Part NumberSI1023
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииУстаревший
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C370mA
Power - Max250mW

Механические

Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяSC-89 (SOT-563F)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)