SI1013X-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1013X-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

УстаревшийSC-89, SOT-490Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Базовый Part NumberSI1013
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5 nC @ 4.5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность250mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-89, SOT-490
Корпус производителяSC-89-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)