SI1012R-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1012R-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A

УстаревшийSC-75, SOT-416Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
Базовый Part NumberSI1012
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75 nC @ 4.5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность150mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-75, SOT-416
Корпус производителяSC-75A

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)