IRFR120PBF-BE3

Vishay Siliconix

IRFR120PBF-BE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

В производствеTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 4.6A, 10V
Базовый Part NumberIRFR120
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds360 pF @ 25 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTube
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.7A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.5W (Ta), 42W (Tc)

Механические

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)