Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 8.4A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 25 V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
|---|---|
| Корпус производителя | DPAK |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|