DG636EN-T1-E4

Vishay Siliconix

DG636EN-T1-E4

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC SWITCH DUAL SPDT 16-MINIQFN

Устаревший16-WFQFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Channel Capacitance (CS(off), CD(off))2.1pF, 4.2pF
Charge Injection0.1pC
Crosstalk-88dB @ 10MHz
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Multiplexer/Demultiplexer Circuit2:1
Макс. сопротивление во включенном состоянии115Ohm
Product StatusObsolete
Ron)1Ohm
Switch CircuitSPDT
Switch Time (Ton, Toff) (Max)60ns, 52ns

Электрические

Voltage - Supply, Dual (V±)±2.7V ~ 5V
Voltage - Supply, Single (V+)2.7V ~ 12V
Current - Leakage (IS(off)) (Max)100pA
-3db Bandwidth610MHz
Количество цепей2

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case16-WFQFN

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TA)