Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | BS250 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 15 V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 800mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус производителя | TO-92-18RM |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|