3N163-E3

Vishay Siliconix

3N163-E3

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 40V 50MA TO72

УстаревшийTO-206AF, TO-72-4 Metal CanАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs250Ohm @ 100µA, 20V
Базовый Part Number3N163
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3.5 pF @ 15 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность375mW (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Корпус производителяTO-72

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)