2N7002E-T1-GE3

Name: 2N7002E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 240MA TO236

Снят с производстваTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 250mA, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	21 pF @ 5 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	Last Time Buy
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	240mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	350mW (Ta)

Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителя	TO-236

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)