Общие
| Базовый Part Number | RA160 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-RA160FA120
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE MODULE GP 1200V 91A SOT227
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.27 V @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 91A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 150 µA @ 1200 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус производителя | SOT-227 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|