Общие
| Базовый Part Number | MBR3 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 190pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Технология | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-MBR350
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 50V 3A C16
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 730 mV @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 600 µA @ 50 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
|---|---|
| Корпус производителя | C-16 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|