Общие
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 125 ns |
| Серия | FRED Pt® G5 |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-E5TH2112S2L-M3
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.66 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-263AB (D2PAK) |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|