Общие
| Базовый Part Number | 1N3890 |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Chassis, Stud Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 300 ns |
| Технология | Standard |

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | 1N3890 |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Chassis, Stud Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 300 ns |
| Технология | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 12 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 100 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Package / Case | DO-203AA, DO-4, Stud |
|---|---|
| Корпус производителя | DO-203AA (DO-4) |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
|---|