Общие
| Базовый Part Number | 1N3767 |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Chassis, Stud Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-1N3767
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 900V 35A DO203AB
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 900 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 110 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 35A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 900 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Корпус производителя | DO-203AB (DO-5) |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 190°C |
|---|