Общие
| Базовый Part Number | 10ETS08 |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-10ETS08-M3
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 800 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| Корпус производителя | TO-220AC |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|