Общие
| Базовый Part Number | 100BGQ100 |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-100BGQ100
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTT 100V 100A POWIRTAB
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.04 V @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 300 µA @ 100 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | PowerTab™, PowIRtab™ |
| Корпус производителя | PowIRtab™ |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|