Общие
| Базовый Part Number | VBT1080 |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VBT1080S-E3/8W
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO263AB
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810 mV @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 600 µA @ 80 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | TO-263AB (D²PAK) |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|