Общие
| Capacitance @ Vr, F | 600pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V8PAM10S-M3/I
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840 mV @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2.8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 180 µA @ 100 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad |
| Корпус производителя | DO-221BC (SMPA) |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |