Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 3A DO219AB
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | V3FM12 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 220pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | eSMP®, TMBS® |
| Технология | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 120 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940 mV @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 120 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Package / Case | DO-219AB |
|---|---|
| Корпус производителя | DO-219AB (SMF) |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
|---|