Общие
| Базовый Part Number | V2F6 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 250pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | eSMP®, TMBS® |
| Технология | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V2F6HM3/I
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 2 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 480 µA @ 60 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Package / Case | DO-219AB |
|---|---|
| Корпус производителя | DO-219AB (SMF) |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |