Общие
| Базовый Part Number | SS1H10 |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SS1H10-M3/5AT
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 860 mV @ 2 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 100 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
|---|---|
| Корпус производителя | DO-214AC (SMA) |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
|---|