Общие
| Capacitance @ Vr, F | 7.3pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.2 µs |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SEG10FGHM3/H
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 700 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | DO-219AB |
| Корпус производителя | DO-219AB (SMF) |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |