Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO221BC
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Capacitance @ Vr, F | 32pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2 µs |
| Технология | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.16 V @ 5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Package / Case | DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad |
|---|---|
| Корпус производителя | DO-221BC (SMPA) |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |