SE50PAJ-M3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

SE50PAJ-M3/I

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 600V 5A DO221BC

В производствеDO-221BC, SMA Flat Leads Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberSE50
Capacitance @ Vr, F32pF @ 4V, 1MHz
ПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes Division
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)2 µs
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If940 mV @ 2.5 A
Current - Average Rectified (Io)5A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Механические

Package / CaseDO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Корпус производителяDO-221BC (SMPA)

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C