SE30PAGHM3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

SE30PAGHM3/I

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 400V 3A DO221BC

В производствеDO-221BC, SMA Flat Leads Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberSE30
Capacitance @ Vr, F13pF @ 4V, 1MHz
ПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes Division
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)1.3 µs
СерияeSMP®
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.16 V @ 3 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 400 V
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Механические

Package / CaseDO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Корпус производителяDO-221BC (SMPA)

Среда

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
QualificationAEC-Q101