Общие
| Базовый Part Number | SE30DT12 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 132pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3.4 µs |
| Серия | eSMP® |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SE30DT12HM3/I
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.29 V @ 30 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Корпус производителя | SMPD |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |