Общие
| Базовый Part Number | SE30 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 19pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5 µs |
| Серия | eSMP® |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SE30AFGHM3/6B
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 400 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Корпус производителя | DO-221AC (SlimSMA) |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |