SE12DDHM3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

SE12DDHM3/I

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 200V 3.2A TO263AC

В производствеTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), VariantАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberSE12
Capacitance @ Vr, F90pF @ 4V, 1MHz
ПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes Division
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)3 µs
СерияeSMP®
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.15 V @ 12 A
Current - Average Rectified (Io)3.2A
Current - Reverse Leakage @ Vr20 µA @ 200 V
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Механические

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Корпус производителяTO-263AC (SMPD)

Среда

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
QualificationAEC-Q101